特許

J-GLOBAL ID：200903032281320267

サファイア単結晶の製造方法

発明者： 牧川 新二
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 野口 恭弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-233342
公開番号（公開出願番号）：特開2008-056518
出願日： 2006年08月30日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】単結晶内にある小傾角粒界を低減し、気泡を低減させたサファイア単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】サファイア単結晶の育成軸をC軸([0001]の向き)から0.1〜15度の範囲内で傾けて単結晶サファイアを育成するサファイア単結晶の製造方法。ここで、サファイア単結晶は、引上げ法又はキロプロス法により製造され、傾ける向きは、a軸の向き、m軸の向き、又はa軸の向きとm軸の向きを合成した向きのいずれでもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア単結晶の育成軸をC軸([0001]の向き)から0.1〜15度の範囲内で傾けて単結晶サファイアを育成することを特徴とするサファイア単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/20 ,  C30B 17/00 ,  C30B 15/36

FI (3件)：

C30B29/20 ,  C30B17/00 ,  C30B15/36

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BB01 ,  4G077CD10 ,  4G077CF10 ,  4G077ED02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077PJ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭61-247683号公報
  
• 米国特許出願公開第2004/0177802号明細書