特許

J-GLOBAL ID：200903032281454603

炭化珪素を用いたpn接合型発光ダイオード

発明者： 藤井 良久 ,  斎藤 肇 ,  鈴木 彰
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239320
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090021
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 pn接合型発光ダイオードにおいて、環状のオーミック電極を形成することで、電極直下の無効電流を減少し発光効率を増大させる。【構成】 最表面層のp型炭化珪素半導体層うえに形成されたチタン、アルミニウム積層からなるオーミック電極を環状に形成するか、若しくは前記最表面層と電極との間に二酸化珪素または窒化珪素からなる絶縁層を挿入することにより、pn接合発光ダイオードに注入される電流を電極直下外のチップ周辺部に集中されることができる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板および炭化珪素半導体層を有するpn接合型発光ダイオードにおいて、基板上に多層の炭化珪素半導体層を積層した炭化珪素半導体層の最表面の一部に環状のオーミック電極を有することを特徴とするpn接合型発光ダイオード。