特許

J-GLOBAL ID：200903032281634164

圧電体薄膜およびその製造法ならびにそれを用いたインクジェット記録ヘッド

発明者： 久野 忠昭 ,  宮下 悟 ,  青山 拓
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-288770
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139594
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】【課題】 厚膜化しても圧電ひずみ定数値の低下しない圧電体薄膜、およびその製造法を提供する。【解決手段】 本発明による圧電体薄膜は、三成分系圧電体材料から形成される母層と、母層に比べて結晶化温度の低い二成分系圧電体材料から形成される部分層とから形成されていることから、厚膜時の圧電体薄膜全体の結晶性改善が得られ、圧電ひずみ定数値低下を抑制できる。さらに、このような圧電体薄膜は、ゾルゲル法であって、多数回コートした圧電体材料を一括してアニールし結晶化させることで製造できる。

請求項（抜粋）：

母層がマグネシウム酸ニオブ酸鉛(以下、「PMN」と記す)、ジルコン酸鉛(以下、「PZ」と記す)およびチタン酸鉛(以下、「PT」と記す)から形成される三成分系圧電体材料からなり、母層の下地層、中間層、表面層といった部分層にPZおよびPTから形成されるチタン酸ジルコン酸鉛(以下、「PZT」と記す)から形成された二成分系材料を有する構造の圧電体薄膜。

IPC (7件)：

C30B 29/22 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22

FI (6件)：

C30B 29/22 Z ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 F ,  H01L 41/22 Z