特許

J-GLOBAL ID：200903032282418384

プラズマエッチング方法

発明者： 山口 智代 ,  和田 暢弘 ,  藤本 究 ,  北村 彰規 ,  丁 載榮 ,  布瀬 暁志 ,  小尾 真知子
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-082717
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282540
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 対フォトレジスト選択比が高い、および/または、エッチングストップを抑えたプラズマエッチング方法を提供すること。【解決手段】 処理容器内に導入した、直鎖C5F8を含みCOを含まないエッチングガスをプラズマ化して、この処理容器内にある被処理体W中のSiO2膜61を、この膜上にある所定パターンのフォトレジストマスク62を介してプラズマエッチングする。

請求項（抜粋）：

処理容器内に導入した、直鎖C5F8を含みCOを含まないエッチングガスをプラズマ化して、この処理容器内にある被処理体中の膜を、この膜上にあるレジストパターンを介して、プラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 105 A

Fターム (5件)：

5F004AA02 ,  5F004AA15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03