特許
J-GLOBAL ID：200903032284637865
半導体素子の構造および半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-053933
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067730
出願日： 1991年02月26日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子構造の電極表面積を簡易なプロセスで大幅に増加する。【構成】 滑らかな表面を有するアモルファスシリコン膜19をエッチング等により形状加工を施した後、加工時にアモルファスシリコン表面に形成された酸化膜や炭素を取り除き真空中あるいは非酸化雰囲気中で加熱処理することにより、アモルファスシリコン膜19の表面から結晶化をおこしシリコン膜表面に凹凸を形成することができる。この製造方法を用いれば半導体容量部の形状にかからわず電極表面全面にシリコン膜のグレインに起因する凹凸を有する半導体素子構造が形成できる。
請求項（抜粋）：
表面形状にかかわらず、電極表面全面にシリコン膜のグレインに起因する凹凸を有することを特徴とする半導体素子の構造。
IPC (2件)：
引用特許：
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