特許

J-GLOBAL ID：200903032285427201

カルシウムシリサイド薄膜の成長方法

発明者： 松井 宏樹 ,  倉本 護 ,  小野 努 ,  野瀬 康男 ,  百瀬 与志美 ,  立岡 浩一 ,  桑原 弘
出願人/特許権者： 静岡大学長
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086119
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289627
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板にマグネシウムシリサイド薄膜を介してCa:Siのモル比が2:1のカルシウムシリサイド(Ca2Si)単相の薄膜を成長する方法を提供する。【解決手段】 マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝して前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子とカルシウム原子とを置換反応させることにより前記マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝して前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子と前記蒸気化されたカルシウム原子とを置換反応させることにより前記マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることを特徴とするカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/36 ,  C01B 33/06 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/363 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/36 ,  C01B 33/06 ,  C23C 14/06 E ,  H01L 21/363 ,  H01L 31/04 E

Fターム (26件)：

4G072AA35 ,  4G072BB09 ,  4G072FF09 ,  4G072GG02 ,  4G072JJ50 ,  4G072NN18 ,  4G072UU01 ,  4K029AA06 ,  4K029BA52 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  5F051AA07 ,  5F051CB11 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051GA04 ,  5F052KA05 ,  5F103AA01 ,  5F103BB06 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103RR06