特許

J-GLOBAL ID：200903032291528397

半導体装置,及びその製造方法

発明者： 工藤 昭吉
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070708
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283238
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 フィインガー部が所望の形状に形成されたゲート電極を有し、かつ、このゲート電極のフィンガー部が接合するフィンガー部用リセスの表面に斑や過剰エッチングによる損傷がない半導体装置及びこれを短時間で製造することができる製造方法を得る。【構成】 半導体基板1に、直線状のフィンガー部用リセス4b,及びフィンガー部用リセス4bと同一の溝幅及び深さを有する環状のパッド部用リセス40からなるリセス4をエッチングにより形成し、このリセス4を覆うように絶縁膜5を形成した後、この絶縁膜5のエッチバックによりフィンガー部用リセス4bとパッド部用リセス40に同一形状のサイドウォール5a,5bを形成し、このサイドウォール5a,5bをマスクにゲート電極100を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、フィンガー部及びパッド部からなるゲート電極と、上記半導体基板に形成され、その底面に上記ゲート電極のフィンガー部の下端部が接合する直線状のフィンガー部用リセスと、上記半導体基板に形成され、その底面に上記ゲート電極のパッド部の外周端部が接合する,上記フィンガー部用リセスの溝幅と同一またはそれより小さい溝幅を有し、上記フィンガー部用リセスの深さと同一の深さを有する環状のパッド部用リセスとを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/80 L ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/80 F