特許
J-GLOBAL ID：200903032296113292
磁気抵抗素子及び磁気メモリ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-109574
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306375
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 強磁性層の保磁力の調整、小型化、安定性、記録密度等に優れ、高い磁気抵抗変化率を有する磁気メモリ素子等に有用な磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 第1の反強磁性層2、第1の強磁性層3、非磁性層4、第2の強磁性層5、第2の反強磁性層6が順に積層され、層2、3および層5、6がそれぞれ交換結合しており、かつ、層3と層5の保磁力の大きさが異なり、層2の一方向異方性の向きが層3の磁化方向と平行であり、層6の一方向異方性の向きが層5の磁化方向と平行であることを特徴とする磁気抵抗素子;並びにこれを用いた磁気メモリ素子。
請求項（抜粋）：
少なくとも、第1の反強磁性層、第1の強磁性層、非磁性層、第2の強磁性層、第2の反強磁性層が順に積層され、該第1の反強磁性層と該第1の強磁性層および該第2の反強磁性層と該第2の強磁性層がそれぞれ交換結合しており、かつ、該第1の強磁性層の保磁力の大きさと該第2の強磁性層の保磁力の大きさが異なり、該第1の反強磁性層の一方向異方性の向きが該第1の強磁性層の磁化方向と平行であり、該第2の反強磁性層の一方向異方性の向きが該第2の強磁性層の磁化方向と平行であることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BA17
, 5D034BA18
, 5D034CA04
