特許

J-GLOBAL ID：200903032301892572

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 奥村 智洋 ,  中山 一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132110
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321399
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 低圧力下で均一な低電子温度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給ユニット2から所定のガスを導入しつつ、ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、マッチング回路10を介して導電体材料用高周波電源4により100MHzの高周波電力を誘電体5上に載置された第一導電体材料6aの実質的な中心部11aに供給するとともに、第二導電体材料6bの外周端部12bを接地することにより、真空容器1内にプラズマが発生し、電極7上に載置された基板8に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、外周端部が開放されており、かつ、各々の実質的な中心部が互いに電気的に接続された複数の実質的に平面状の渦形導電体からなる多重渦形の第一導電体材料の実質的な中心部に高周波電力を供給することにより、真空容器内に電磁波を放射し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置された基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/203

FI (7件)：

H05H 1/46 A ,  C23C 14/54 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/302 B