特許

J-GLOBAL ID：200903032301925721

プラズマCVD装置

発明者： 松井 孝幸 ,  大音 光市 ,  宇佐美 達矢 ,  土屋 善昭 ,  石川 重男
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050247
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244257
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】SiF4 ガスとNH3 ガスを同一ガス配管にてチャンバーに導入すると、配管内にNH3 とSiF4 の反応物が生成され配管つまりが起きる。【解決手段】同一チャンバーでSiN膜とSiOF膜を連続して成膜するプラズマCVD装置のガス配管のレイアウトとして、SiF4 ガスとNH3 ガスを別々のガス配管にてチャンバーへ導入するか、またはSiF4 ガス配管とNH3 ガス配管にそれぞれ別々のバルブが設置されているSiF4 ガス配管およびNH3 ガス配管が合流する手前でそれぞれ別々のバルブを持ち、それらSiF4 ガス配管に設置されたバルブとNH3 ガス配管に設置されたバルブとチャンバー間にバルブを持ち、その空間を単独に、真空置換及びN2 加圧を繰り返し実施できる構造とする。

請求項（抜粋）：

同一チャンバー内でシリコン窒化膜とフッ素含有シリコン酸化膜を形成するプラズマCVD装置において、シリコン窒化膜の原料ガスの一部としてNH3 ガスを導入するNH3 ガス配管と、フッ素含有シリコン酸化膜の原料ガスの一部としてSiF4 ガスを導入するSiF4 ガス配管を別々にシャワーヘッド兼上部電極に接続したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205

Fターム (28件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB13 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045BB14 ,  5F045CB05 ,  5F045DC51 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE01 ,  5F045EE04 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EH11 ,  5F045EH14