光強度計算のパラメトリック解析方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005371
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208993
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィー工程の光強度分布のパラメトリック解析を高速にシミュレーションする方法を提供する。【解決手段】相互透過係数の再計算回数と、マスクのフーリエ変換の再計算回数が最少になるように、フォトリソグラフィー工程で必要とする光学条件とマスク条件の各条件を振る順序を決め、系統的に条件を振ってマスクのフーリエ変換と相互透過係数とのテーブルを作成し、このテーブルを元に光強分布計算のパラメトリック解析を行う。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造工程におけるフォトリソグラフィー工程でのウエハ上の光強度分布を、与えられた光学条件とマスク条件の下で次式(1)により計算する光強度計算のパラメトリック解析方法において、コヒーレンス因子の最大値と前記マスク条件中のマスクパターンの繰り返し周波数の最小値とから決まる整数を最大次数とし、前記光学条件の設定後、前記最大次数まで相互透過係数を計算してテーブル化する第1のステップと、前記マスク条件を設定後、コヒーレンス因子の最大値と設定されたマスク条件のマスクパターンの繰り返し周波数とから決まる整数を最大次数とし、この最大次数までマスクのフーリエ変換を計算してテーブル化する第2のステプと、前記コヒーレンス因子を設定後、前記第1のステップと第2のステップで作成した2つのテーブルと式(1)とから、コヒーレンス因子全てに対して光強度分布を計算し終わるまでコヒーレンス因子を振って光強度分布を繰り返し計算する第3のステップと、前記マスク条件を振って、全てのマスク条件について光強度分布の計算が終わるまで前記第2のステップと第3のステップを繰り返す第4のステップと、前記光学条件を振って、全ての光学条件について光強度分布の計算が終わるまで前記第1のステップ〜第4のステップを繰り返す第5のステップとを少なくとも含むことを特徴とする光強度計算のパラメトリック解析方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G01J 1/02 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 516 Z , G01J 1/02 K , G03F 7/20 521

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