特許

J-GLOBAL ID：200903032310510704

半導体装置のキャパシタとその製造方法、およびそのキャパシタを備えるメモリ装置

発明者： 李 正 賢 ,  徐 範 錫
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-237223
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064523
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 誘電膜とその誘電膜が蒸着される下部電極の間の望ましくない反応を防止でき、ALD法を利用した誘電膜の形成過程で誘電膜に多量の水蒸気が吸収されることを防止して、誘電膜の電気的な特性の低下を防止できる。【解決手段】 下部電極と、誘電膜と、上部電極とを含む半導体装置のキャパシタにおいて、前記下部電極と前記誘電膜の間に、前記下部電極と前記誘電膜の反応を防止する第1反応防止膜を備える半導体装置のキャパシタとその製造方法および前記キャパシタを備えるメモリ装置。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

下部電極と、 前記下部電極の上に形成された誘電膜と、 前記誘電膜の上に形成された上部電極と、 前記下部電極と前記誘電膜の間に設けられた、前記下部電極と前記誘電膜の反応を防止する第1反応防止膜と、を含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタ。

IPC (7件)：

H01L21/822 ,  H01G4/33 ,  H01G13/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

FI (6件)：

H01L27/04 C ,  H01G13/00 391C ,  H01L21/316 M ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 651 ,  H01G4/06 102

Fターム (41件)：

5E082AA20 ,  5E082AB10 ,  5E082BB10 ,  5E082BC14 ,  5E082DD11 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082FG56 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA08