特許
J-GLOBAL ID：200903032311144000
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-263782
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122520
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状に切断するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形状、サイズに切断する方法を提供する。【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体が表面に成長しない性質を有する保護膜11をサファイア基板1上に所望のチップ形状で線状に形成した後、前記保護膜11が形成されたサファイア基板1上に、窒化ガリウム系化合物半導体2を選択成長させ、保護膜11を形成した部分から窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーを切断してチップ状に分離する。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体が表面に成長しない性質を有する保護膜を、サファイア基板上に所望のチップ形状で線状に形成する工程と、前記保護膜が形成されたサファイア基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体を選択成長させて窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーを作成する工程と、前記保護膜を形成した部分から前記ウエハーを切断してチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
IPC (2件)：
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