特許
J-GLOBAL ID:200903032316905816

面発光レーザダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 光石 俊郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-164336
公開番号(公開出願番号):特開平7-022698
出願日: 1993年07月02日
公開日(公表日): 1995年01月24日
要約:
【要約】【目的】 面発光レーザダイオードにおいて、偏波特性を持たせることを目的とする。【構成】 GaAs(311)面基板上(1)に成長したGaAs/AlAs量子井戸層(3,4)を活性層として持ち、該量子井戸層(3,4)が面内方向に光偏波面選択性を持つことを特徴とする
請求項(抜粋):
GaAs(311)面基板上に成長したGaAs/AlAs量子井戸層を活性層として持ち、該量子井戸層が面内方向に光偏波面選択性を持つことを特徴とする面発光レーザダイオード。

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