GaAsFET保護電源回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168105
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013862
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】GaAsFETを使用した電子回路の電源をオン・オフする場合,ゲート電圧が0V状態下でドレイン電圧のみが印加され,過電流でFETが破壊されることを抑止する。【構成】2分岐したマイナス電源-Vccの一方にR1,C1から成る積分回路を挿入し,2分岐した他方にはトランジスタスイッチQを設け,トランジスタスイッチQを積分回路の出力端電圧で制御し,積分回路挿入系統とトランジスタスイッチ挿入系統の出力間にある一定の時間差を設ける。この時間差をGaAsFETのバイアス印加のタイムシーケンスに利用し,GaAsFETの過大電流による破壊を防止する。

請求項（抜粋）：

正負いずれか1系統の直流電源を入力して2分岐し,一方を積分回路を介してGaAsFETのゲートバイアス用電圧として出力し,他方を前記積分回路の出力によって制御されるトランジスタスイッチ回路を介して前記GaAsFETのドレインもしくはソースバイアス用電圧として出力し,かつ前記直流電源の投入時には前記ゲートバイアス用電圧を前記ドレインもしくはソースバイアス用電圧よりも早く立ち上げ,また前記直流電源の断時には前記ドレインもしくはソースバイアス用電圧を前記ゲートバイアス用電圧よりも早く立ち下げるようにして前記GaAsFETを保護することを特徴とするGaAsFET保護電源回路。

IPC (3件)：

H03K 17/08 , H01L 27/06 , H03K 17/687

FI (2件)：

H01L 27/06 311 C , H03K 17/687 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-270509
特開平2-086212
特開平4-301921

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