特許
J-GLOBAL ID：200903032319069466
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073961
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273370
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 第1の半導体層上に絶縁層を介して第2の半導体層を積層してなる積層体と前記第2の半導体層に形成され力学量の印加に応じて変位可能な可動部とを備えた半導体装置の製造方法において、可動部の加工ばらつきを低減すること。【解決手段】 本発明では、(b)及び(c)に示されるようなトレンチ形成工程において、最も開口幅の狭いトレンチ14が酸化膜13に達するまでのエッチング時間を、トレンチエッチングの全体のエッチング時間に設定したとしても、トレンチ形成工程は酸化膜13の表面が帯電しないエッチング条件でエッチングを行っているため、開口幅の広いトレンチ14において、その底部がサイドエッチングされるノッチ現象の発生を防止することができる。よって、可動部20において、トレンチ角度や酸化膜13との間隔のばらつきを低減することができ、均一なバネ機能を得ることができるため、安定したセンサ特性を発揮することができる。
請求項（抜粋）：
第1の半導体層上に絶縁層を介して第2の半導体層を積層してなる積層体と、前記第2の半導体層に形成され力学量の印加に応じて変位可能な可動部とを備えた半導体装置の製造方法において、前記積層体を用意し、前記絶縁層の表面が帯電しないエッチング条件でエッチングを行い、前記可動部を画定するためのトレンチを、前記第2の半導体層の表面から前記絶縁層に達するように形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチ形成工程を実行した後に、前記トレンチの底部の前記絶縁層の表面が帯電するエッチング条件でエッチングを行い、前記エッチングのイオンを前記トレンチの底部の横方向に位置する前記第2の半導体層へ当てて当該横方向に位置する前記第2の半導体層を除去することにより、前記可動部を形成する可動部形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 Z
, G01P 15/125 Z
4M112AA01
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA22
, 4M112CA24
, 4M112CA25
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA15
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112FA09
