マルチステップCMP

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐野良太 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-587924
公開番号（公開出願番号）：特表2002-541649
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2002年12月03日
要約：

【要約】マルチステップCMPシステムを用いて、ウェハを研磨し、上にバリア層、メタル層が形成されている絶縁体層中にメタルの相互接続を形成する。第1研磨工程において、第1スラリーおよび第1研磨パラメータを用いて、メタル層の上部を取り除き、絶縁体層中に残存メタルを残してメタル相互接続として使用する。同じプラテンおよび研磨パッド上でウェハの第2研磨工程を行い、第2研磨パラメータ下で第2スラリーを用いバリア層の一部を除去する。この第2研磨工程は絶縁体層の上部表面からバリア層を取り除き、これによってメタルの相互接続を形成する。ディッシング(dishing)および絶縁体侵食を低減するために、第2スラリーは、バリア層を絶縁体層中の残存メタルよりも速い速度で除去するように選択される。第1研磨工程と第2研磨工程の間で、洗浄(クリーニング)工程が選択的に実行される。さらに、第1研磨工程は、ディッシングおよび絶縁体侵食をさらに低減するためにソフトランディング工程を含めることができる。または、第1研磨工程において、メタルおよびバリア層の一部分を取り除き、絶縁体層中に残存メタルを残してメタル相互接続として使用する。次に、絶縁体スラリーを使用した第2研磨工程を実行して、メタルスクラッチを減少させる。

請求項（抜粋）：

ケミカル・メカニカル・ポリッシング(以下、CMPという。)装置を用いて、ウェハのCMPを実行するための方法であって、CMPは集積回路のメタル相互接続を製造する工程においてウェハに対して実行され、前記ウェハはその上に、相互接続を定義するようにパターン形成された絶縁体層が形成され、バリア層がこの絶縁体層上に形成され、メタル層がこのバリア層の上方に形成されており、前記CMP装置は、研磨パッドがその上に装着されたプラテンと、スラリー供給器と、ウェハキャリアとを有する、前記方法は、前記ウェハキャリアを用いて前記CMP装置の前記研磨パッドの動作位置に前記ウェハを配置する段階と、前記CMP装置に第1の研磨パラメータを設定して第1スラリーを用いて前記ウェハの第1研磨を行う段階と、前記CMP装置に第2の研磨パラメータを設定して第2スラリーを用いて前記ウェハの第2研磨を行う段階とを含み、前記第2研磨は前記第1研磨において使用された研磨パッドおよびプラテンを用いて実行され、前記第2スラリーは前記第1スラリーとは異なる方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , B24B 37/00

FI (5件)：

H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 M , B24B 37/00 A , B24B 37/00 H , B24B 37/00 K

Fターム (10件)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058BA02 , 3C058BA09 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058DA06 , 3C058DA09 , 3C058DA12 , 3C058DA17

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