特許

J-GLOBAL ID：200903032325301036

プラズマCVD装置

発明者： 宮崎 康則 ,  朝長 成之 ,  藤岡 祐一
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155435
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014783
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】薄膜形成対象基板近傍のプラズマ中の生成分子を精度良く測定でき、その量を最適に保つようにプラズマを制御することができるようにすること。【構成】薄膜形成対象の基板を保持すると共に、この基板にプラズマ気相成長法により薄膜を形成するためのCVDチャンバー22と、レーザ光源21と、受光量に対応した検出出力を発生する検出手段25と、定位置に配されると共に、上記レーザ光源より入射されたレーザ光を上記CVDチャンバー内を通る所定の反射経路を辿って反射させた後、出射させるものであって、この出射された光を前記検出手段に受光させることによりレーザ光路上の物質による吸収量の測定に供する多重反射手段と、上記CVDチャンバー内の上記基板表面を、上記反射経路に対して接離方向に所望量位置調整する位置調整手段27とを備える。

請求項（抜粋）：

薄膜形成対象の基板を保持すると共に、この基板にプラズマ気相成長法により薄膜を形成するためのCVDチャンバーと、レーザ光源と、受光量に対応した検出出力を発生する検出手段と、定位置に配されると共に、前記レーザ光源より入射されたレーザ光を上記CVDチャンバー内を通る所定の反射経路を辿って反射させた後、出射させるものであって、この出射された光を前記検出手段に受光させることによりレーザ光路上の物質による吸収量の測定に供する多重反射手段と、上記CVDチャンバー内の上記基板表面を、上記反射経路に対して接離方向に所望量位置調整する位置調整手段とを備えてなるプラズマCVD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  G01N 21/59