特許

J-GLOBAL ID：200903032327786835

オルガノヒドロポリシランの製造方法および新規な含フッ素ポリシラン

発明者： 木全 良典 ,  栗山 晃
出願人/特許権者： 東亞合成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204229
公開番号（公開出願番号）：特開平8-049088
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 光電導体、フォトレジスト、炭化ケイ素セラミックスの前駆体、発光材料、オプトエレクトロニクス材料等の各種用途に有用であり、またヒドロシリル化反応等に利用可能であるオルガノヒドロポリシランの製造方法、および新規なフルオロアルキルヒドロポリシランの提供。【構成】 式(1)で示されるオルガノトリヒドロシランを、支持電解質を含有する有機溶媒中で電解することによるオルガノヒドロポリシランの製造方法、および式(3)で示される新規なフルオロアルキルヒドロポリシラン。〔ただし、式中R1はアルキル基、アリール基または式(2)で示されるフルオロアルキル基である。〕-CH2CH2Rf (2)(ただし、式中Rfは炭素数1〜5のペルフルオロアルキル基である。)(ただし、式中Rfは炭素数1〜5のペルフルオロアルキル基である。)

請求項（抜粋）：

式(1)で示されるオルガノトリヒドロシランを、支持電解質を含有する有機溶媒中で電解することを特徴とするオルガノヒドロポリシランの製造方法。【化1】【化2】 -CH2 CH2 Rf (2)(ただしRf は炭素数1〜5のペルフルオロアルキル基である。)

IPC (5件)：

C25B 3/00 ,  C08G 77/60 NUM ,  G02B 1/04 ,  G03F 7/075 511 ,  C07F 7/12