特許
J-GLOBAL ID：200903032328513310
半導体圧力センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-136989
公開番号（公開出願番号）：特開平10-332506
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】信頼性の高い半導体圧力センサを提供する。【解決手段】セラミッック基板10に半導体センサチップ1が実装されている。半導体センサチップ1には、半導体基板に凹所を設けることにより形成された受圧ダイアフラムにピエゾ抵抗が形成されている。半導体センサチップ1及びボンディングワイヤWは遮光性を有する遮光蓋40により外光から遮光される。遮光蓋40は、接着剤によりセラミック基板10に接着される。
請求項（抜粋）：
半導体基板に凹所を設けることによって形成された受圧ダイアフラムにピエゾ抵抗が形成された半導体センサチップと、半導体センサチップが実装されるとともに半導体センサチップの出力を増幅する増幅回路が形成された基板と、半導体センサチップの電極とセラミック基板の電極とを接続するボンディングワイヤと、基板に形成され増幅回路の出力を調整するトリミング用の抵抗とを備え、半導体センサチップが遮光部材により遮光されて成ることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/00
, G01L 19/06
G01L 9/04 101
, G01L 19/00 Z
, G01L 19/06 Z
