特許
J-GLOBAL ID：200903032337216050
半導体装置の薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186524
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186195
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板200を物理的気相蒸着装置のプラテン300に装着し、50°C以下の温度でプラテン300内に冷媒をポンピングする。この段階はプラテン300内に概略10°C乃至18°Cの温度の冷却水を用いて温度を維持する方法か、プラテン300内に冷却水をポンピングし冷却水と独立的に圧縮ガスをポンピングしてプラテン300の温度を維持する。次に、半導体基板200上にプラテン300を概略50°C以下の温度に維持させ、物理的気相蒸着工程によりアルミニウム層270を蒸着し、冷媒をポンピングする段階以前に半導体基板200を概略400°C乃至600°C程度の温度で脱ガスし、アルミニウム層270の下部層としてウェット層250を50°C以下の温度に維持させ、アルミニウム層270をリフローさせる。
請求項（抜粋）：
半導体基板をプラテン上に装着する段階と、前記プラテンを概略50°C以下の温度に維持させて前記半導体基板の温度を一定に維持させるために前記プラテン内に冷媒をポンピングする段階と、前記半導体基板上に前記プラテンを概略50°C以下の温度で維持させ、物理的気相蒸着工程を利用して物質層を蒸着する段階を含むことを特徴とする半導体装置の薄膜形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, H01L 21/203
, H01L 21/768
, C23C 14/24
H01L 21/285 S
, H01L 21/203 Z
, C23C 14/24 K
, H01L 21/90 C
