特許
J-GLOBAL ID：200903032337704853
薄膜エレクトロルミネセンス素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222682
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078689
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】発光層の両面に絶縁層を介して電極を設けた薄膜EL素子の輝度を向上させる。【構成】発光層で発生した光が積層された各層を通過するための干渉効果による干渉ピーク波長と、発生した光の発光ピーク波長とを一致させることにより高輝度が得られる。このような一致は、各層の材料、屈折率に対応して膜厚を最適化することによって得られる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上で発光層の両面にそれぞれ絶縁層を介して基板側が透光性である条状電極を備えた薄膜エレクトロルミネセンス素子において、発光層で発生する光の発光ピーク波長と、発光層で発生する光が積層された各層を通過することによって干渉して生ずる干渉ピーク波長とが一致していることを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子。
IPC (3件)：
H05B 33/26
, C09K 11/00
, C09K 11/56 CPC
