特許

J-GLOBAL ID：200903032339598236

半導体装置とそれを用いた電子装置

発明者： 栗原 保敏 ,  新津 利治 ,  飯塚 守
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050477
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237252
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】半導体基体の載置部材に固着する部分の過大な応力を緩和すると共に放熱性を向上させ、運転時の熱的および機械的変化による半導体装置の破損を防止し、優れた信頼性の半導体装置の提供にある。【解決手段】半導体基体1、金属板の主面に絶縁層を介して配線層を設けた載置部材または金属板201からなる載置部材、該載置部材と前記半導体基体との間に配置された中間金属板4が、Sn,Sb,Ag,Cu,Ni,P,Bi,Zn,Au,Inの1種以上とSnを含むろう材3,31により固着され、該中間金属板の固着面と平行な方向の熱膨張率が7〜13.5ppm/°C,熱伝導率が150W/m・K以上であり、該中間金属板の固着面と平行な方向のサイズが前記半導体基体の固着面と平行な方向のサイズより0.3mm以上(D)大きい半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基体、金属板の主面に絶縁層を介して配線層を設けた載置部材または金属板からなる載置部材、該載置部材と前記半導体基体との間に配置された中間金属板が、Sn,Sb,Ag,Cu,Ni,P,Bi,Zn,Au,Inの1種以上とSnを含むろう材により固着され、該中間金属板の固着面と平行な方向の熱膨張率が7〜13.5ppm/°C,熱伝導率が150W/m・K以上であり、該中間金属板の固着面と平行な方向のサイズが前記半導体基体の固着面と平行な方向のサイズより0.3mm以上大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/32

FI (2件)：

H01L 21/52 B ,  H01L 23/32 C

Fターム (4件)：

5F047AA19 ,  5F047BA19 ,  5F047BC31 ,  5F047BC40