特許
J-GLOBAL ID:200903032339897799
酸化物超電導バルク材料とその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
萩原 康弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-127868
公開番号(公開出願番号):特開平10-310498
出願日: 1997年05月02日
公開日(公表日): 1998年11月24日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、大型の希土類系酸化物超電導バルクの製造方法を提供する。【構成】 希土類系超電導バルクの原料成形体の表面にREBa2Cu3Oxの包晶温度を低下させる金、銀あるいは希土類元素をコ-ティングし、これを包晶温度以上の温度に加熱し、これを冷却することによってREBa2Cu3Ox系バルクを得る製造方法、およびこの方法によって得られたバルク超電導体【効果】 半溶融状態において、種結晶以外の部分からの核生成を抑制され、単一結晶粒を有するREBa2Cu3Ox大型バルク超電導体の製造を容易にする。
請求項(抜粋):
REBa2Cu3Ox系超電導体の原料成形体をREBa2Cu3Oxの包晶温度以上の温度に加熱し、これを冷却することによってREBa2Cu3Ox系バルクを得る製造方法において、原料成形体の表面にREBa2Cu3Oxの包晶温度を低下させる物質をコーティングした後、加熱熱処理をおこなうことを特徴とするREBa2Cu3Ox系超電導体の製造方法。ここで、REはY、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Ybからなる群から選ばれた1種以上の元素をさす。
IPC (5件):
C30B 29/22 501
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 565
FI (5件):
C30B 29/22 501 M
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 565 D
引用特許: