特許
J-GLOBAL ID:200903032344577832

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 大岩 増雄 ,  児玉 俊英 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-214390
公開番号(公開出願番号):特開2004-056012
出願日: 2002年07月23日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】生産性を低下させずに信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を得る。【解決手段】多数個のパッケージベース3が形成されている基板8の外部電極形成面に保護シート9を貼り付けた後、ダイシングライン8aに沿って基板8のみを切断してパッケージベース3単位に分割する。その後、個片化された多数個のパッケージベース3を保護シート9に接着した状態で、半導体チップ2のダイボンド、ワイヤボンディング、樹脂封止を行った後、保護シート9を剥離し、パッケージベース3間の封止樹脂6部分を切断して半導体装置1を形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
パッケージベース上に半導体チップが搭載され、上記半導体チップの上面に設けられた電極と上記パッケージベースに設けられた接続用電極がワイヤで電気的に接続されてなる半導体装置において、 上記電極と上記接続用電極を接続する上記ワイヤを含め、上記半導体チップおよび上記パッケージベースの側面が連続して封止樹脂により被覆されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L23/12
FI (1件):
H01L23/12 501W

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