特許
J-GLOBAL ID：200903032345093553
真空型トンネルカソード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007504
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198251
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 トンネルカソードにおける絶縁層内での電子の散乱をなくして、放出電子電流の割合を大きくし、放出電子のエネルギー分布を小さくする。【構成】 トンネルカソードの第1導電層2と第2導電層5との間の絶縁層の少なくとも電子が透過する部分を真空空間で成る真空絶縁層4で形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電層-絶縁層-第2導電層を順に積層して構成され、トンネル効果によリ上記絶縁層を透過し上記第2導電層から電子が放出されるトンネルカソードにおいて、上記絶縁層の少なくとも上記電子が透過する部分を真空空間で成る真空絶縁層で形成したことを特徴とする真空型トンネルカソード。
引用特許：
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