特許
J-GLOBAL ID：200903032347823583
気相成長方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082654
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279465
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】横型気相成長法において、ウェハ表面に生じる境界層の厚さを流れ方向に一定に保つことによって、ウェハを回転することなく、均一な薄膜を成長できるようにする。【構成】ガスの流れに垂直な断面が長方形をしたフローチャネル1の上面5に、流れ方向に沿ってウェハ2用の穴を複数個設け、その穴にウェハ2をフェイスダウンにして臨ませ、フローチャネル1内の原料ガスがウェハ2と平行に流れるようにする。フローチャネル1の底面6を曲面加工して、フローチャネル1の断面積が流れ方向にいくにしたがって徐々に絞られるようにする。これにより、ガスの吹出し口3からの距離Lとフローチャネル1の断面積Sの積が一定となり、ウェハ表面に生じる境界層の厚さを流れ方向に一定に保つことができる。
請求項（抜粋）：
ウェハと平行に原料ガスを流すことによってウェハ上に薄膜を堆積若しくはエピタキシャル成長させる気相成長方法において、境界層の発生する上流端からの距離と、境界層以外でのガスの流速との比を一定とすることにより、境界層の厚さを流れ方向に一定に保つようにしたことを特徴とする気相成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
