特許
J-GLOBAL ID:200903032350430592
銅とアルミニウムの化学的蒸着方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-044302
公開番号(公開出願番号):特開平8-319566
出願日: 1996年02月06日
公開日(公表日): 1996年12月03日
要約:
【要約】【課題】 基板表面に金属化層を被着させるためにアルミニウムと銅の同時蒸着を行うに際して、多段操作を行うことによる金属化層形成の非効率性、前駆化合物の取扱の困難性、不適切に高い温度での金属化層の形成による基板その他への悪影響等、従来の同時蒸着技術の問題点とするところを解消すること。【解決手段】 (a)該基板を150乃至250°Cの温度範囲に加熱する工程と、(b)該基板を化学的蒸着条件の下で下記化学式、(但し、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8はそれぞれ独立にHまたはC1ーC10炭化水素である)で示される銅の先駆物質に接触させる工程と、(c)工程(b)と同時に該基板を化学的蒸着条件の下で化学式、H3AlN(R9)(R10)(R11)(但し、R9、R10およびR11はそれぞれ独立にC1ーC4炭化水素で、且つ少なくともR基の1つはCH2CH2N(CH3)2である)で示されるアルミニウムの先駆物質と接触させる工程と、(d)該基板上にアルミニウムおよび銅層を析出させる工程とからなることを特徴とする。化学式:
請求項(抜粋):
化学的蒸着法により基板上に銅およびアルミニウムを同時蒸着させることにより該基板上に銅およびアルミニウムの合金層を形成させる方法であって、(a)該基板を150乃至250°Cの温度範囲に加熱する工程と、(b)該基板を化学的蒸着条件の下で下記化学式1、【化1】(但し、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8はそれぞれ独立にHまたはC1ーC10炭化水素である)で示される銅の先駆物質に接触させる工程と、(c)工程(b)と同時に該基板を化学的蒸着条件の下で下記化学式2乃至4、【化2】H3AlN(R9)(R10)(R11)(但し、R9、R10およびR11はそれぞれ独立にC1ーC4炭化水素で、且つ少なくともR基の1つはCH2CH2N(CH3)2である)若しくは、【化3】H(3-X)Al(R12)X(但し、R12はそれぞれ独立にC1ーC4)炭化水素で、且つX=1ー3である)、若しくは、【化4】Cl(3-X)Al(R13)X(但し、R13はそれぞれ独立にC1ーC4)炭化水素で、且つXは1-3である)からなる群から選ばれたアルミニウムの前駆物質と接触させる工程と、(d)該基板上にアルミニウムおよび銅の合金層を析出させる工程と、からなることを特徴とする銅とアルミニウムの化学的蒸着方法。
IPC (4件):
C23C 16/18
, C23C 16/06
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
FI (4件):
C23C 16/18
, C23C 16/06
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 L
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