特許
J-GLOBAL ID：200903032352034376
ステンシルマスク加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022302
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217876
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ステンシルマスクを用いた縮小転写型電子ビームリソグラフィー技術に関するものであり、特に、機械的強度にすぐれた、熱安定性の高い、正確で薄い、実用性の高いステンシルマスクを容易に形成することを目的とする。【構成】 半導体シリコン基板11の裏面に無機膜13を堆積し、この無機膜13上にレジストパターン100を形成し、このレジストパターン100をマスクとして、無機膜のエッチングを行い、半導体シリコン基板11の裏面を選択的に露出させる。次に、無機膜パターンをマスクとして、露出した半導体シリコン基板11を裏面からエッチングする。さらに、この半導体シリコン基板11の表面上から放電加工技術を用いて選択的に半導体シリコンのエッチングを行い、シリコンを貫通することによってシリコン基板をそのままマスク材料に用いた、機械的強度にすぐれた、熱安定性の高いステンシルマスクを容易に形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板の裏面に無機膜を堆積する工程と、前記無機膜上にリソグラフィー技術を用いてレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして、前記無機膜をエッチングしパターンを転写し、前記基板の裏面を選択的に露出させ、さらに、無機膜パターンをマスクとして、前記露出した基板を裏面からエッチングする工程と、前記基板の表面上から放電加工技術を用いて選択的に前記基板のエッチングを行い、前記基板を貫通することによってパターンを形成する工程とを備えて成ることを特徴とするステンシルマスク加工方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 341 P
, H01L 21/30 341 M
