特許

J-GLOBAL ID：200903032353436389

ダイオード

発明者： 長洲 正浩 ,  坂野 順一 ,  小林 秀男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247515
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093113
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】電力損失を増加させることなく、ダイオードのソフトな逆回復特性を実現する。【解決手段】n~ 基板のアノード側にp+ 領域、カソード側にp+ 領域とn+ 領域を設け、ダイオードのリカバリー時に、アノード側のp+ 領域とn~ 領域とn+ 領域とカソード側のp+ 領域が構成するトランジスタが動作するように、n+ 領域とカソード側の不純物濃度,形状寸法を設定する。【効果】ダイオードのリカバリー時にトランジスタ効果による電流が流れるため、キャリアの蓄積領域を設けることなく逆回復特性をソフトにすることができ、低損失とソフトな逆回復特性を両立できる。この結果、電力変換装置のスイッチングノイズを防止できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層に隣接する第2導電型の第2の半導体層と、第1の半導体層に隣接する第2導電型の第3の半導体層と、を有し、第1の半導体層は不純物濃度が異なる複数の領域を有し、第1の領域が第2の領域に隣接し、第1の領域よりも不純物濃度が高い第2の領域が第3の半導体層に隣接し、第2の半導体層にオーミック接触する第1の主電極と、第1の半導体層の第2の領域及び第3の半導体層にオーミック接触する第2の主電極と、を有し、第1の半導体層と第2の半導体層の主接合を逆バイアスする電圧を加えたときに、前記第1の半導体層と第3の半導体層の接合のビルトイン電圧を越えるように、第1の半導体層と第3の半導体層の不純物濃度と形状寸法が設定されていることを特徴とするダイオード。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-107071
  
• 特開平2-076265
  
• 特開平3-250670