特許

J-GLOBAL ID：200903032353792061

固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子

発明者： 福所 孝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-254548
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087675
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 受光センサ部への集光効率を高めて感度向上を図った固体撮像素子と、その製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 基体1の表層部に光電変換をなす受光センサ部2を形成し、基体1上に受光センサ部2以外に光が入射するのを防ぐための遮光膜12を形成した固体撮像素子の製造方法である。まず、基体1上に絶縁膜4を介して転送電極5を形成し、さらに転送電極5を覆って層間絶縁膜6を形成した後、この層間絶縁膜6を覆って平坦化膜7を形成する。次いで、平坦化膜7の、遮光膜12を形成するための遮光領域となる箇所のみを選択的にエッチング除去して凹部9を形成するとともに、受光センサ部2の周辺部上でかつ転送電極5の側方をエッチングして基体1表面近傍にまで達する深さの溝11を形成する。その後、凹部9および溝11の内部に遮光膜材料を埋め込んで遮光膜12を形成する。

請求項（抜粋）：

基体の表層部に光電変換をなす受光センサ部を形成し、基体上に前記受光センサ部以外に光が入射するのを防ぐための遮光膜を形成した固体撮像素子の製造方法において、基体上に絶縁膜を介して転送電極を形成し、さらに該転送電極を覆って層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁膜を覆って平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜の、前記遮光膜を形成するための遮光領域となる箇所のみを選択的にエッチング除去して凹部を形成する工程と、前記平坦化膜の、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前記転送電極の側方をエッチングして前記基体表面近傍にまで達する深さの溝を形成する工程と、前記凹部および溝の内部に遮光膜材料を埋め込んで遮光膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。