特許

J-GLOBAL ID：200903032355935870

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 石田 秀俊 ,  田中 毅 ,  上田 大助
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-023932
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236852
出願日： 1993年02月12日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】キャリアライフタイムの長い、高濃度のp型GaAsの結晶成長を行い、電流増幅率の高いヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を作製する。【構成】ガリウム源7、砒素源8とカーボンの不純物源である不飽和炭化水素1を基板11上に供給し、ヒータ4により基板温度を550°C以上の高温に保ちキャリアライフタイムの長い高濃度p型GaAsの結晶長を行なう。このp型GaAsをHBTのベース層に用い、高い電流増幅率を有するHBTを作製する。

請求項（抜粋）：

不飽和結合を有する炭化水素を不純物源として化合物半導体のエピタキシャル成長を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-262332
  
• 特開平2-272722
  
• 特開平4-338633