特許

J-GLOBAL ID：200903032356405581

二次元的に配置された量子素子及びその製造方法

発明者： 山下 一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017819
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204774
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 常温で安定に作動し、現実に単電子トランジスタや単電子メモリとしして生産可能な量子素子を提供すること。【解決手段】 絶縁体の一平面上に直径dが5〜7nmの複数の金属原子凝集体Dからなる量子ドットが11〜14nmのピッチで2次元的に配置されている量子ドットを紫外線以上のエネルギービームあるいは紫外線+加熱によりパターン化して形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁体の一平面上に直径dが5〜10nmの複数の原子集合体とその周りを有機物で覆われたから複合粒子が二次元的に配置された後、有機物を紫外線の照射または紫外線の照射と熱処理により分解して得られることを特徴とする量子ドット。

IPC (8件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/368 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 51/00 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/86

FI (7件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/368 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/86 F ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 A