特許
J-GLOBAL ID：200903032360891113
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318875
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160194
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 TAB構造を採用する半導体装置において、信頼性を向上する。【構成】 TAB構造を採用する半導体装置において、半導体ペレット1の裏面に、放熱板4を設ける。【効果】 半導体ペレット1の裏面に放熱板4を設けたことにより、半導体装置の放熱性を向上できる。これにより、TAB構造を採用する半導体装置に、バイポーラトランジスタで構成されるCML、TTL等の論理回路を搭載できる。
請求項（抜粋）：
可撓性フィルム上に設けられたインナーリードと、半導体ペレットの主面の外部端子とを電気的に接続し、半導体ペレットの主面を樹脂で封止した半導体装置において、前記半導体ペレットの裏面に、放熱板を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/29
