特許

J-GLOBAL ID：200903032366065401

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小杉 龍一 ,  大林 茂樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272283
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093992
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 高速動作が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、低濃度不純物領域3aおよび3bと、ゲート酸化膜6aを介在させて形成されたゲート電極7aと、エッチングストッパ8aと、コンタクトホール11aおよび11bを有しエッチングストッパ8aよりエッチングレートが大きい層間絶縁膜10と、コンタクトホール11aおよび11bを介してシリコン基板1に不純物を注入することにより形成された高濃度不純物領域4aおよび4bと、コンタクトホール11aおよび11bを埋込むプラグ12aおよび12bと、配線層13aおよび13bとを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表面に互いに距離を隔てて形成された、相対的に不純物濃度の低い1対の低濃度不純物領域と、前記半導体基板の上にゲート絶縁膜を介在させて前記1対の低濃度不純物領域の間に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う保護膜と、前記ゲート電極と前記保護膜とを覆い、前記低濃度不純物領域に達する孔を有し、所定のエッチャントを用いた場合に前記保護膜よりエッチングレートが大きい層間絶縁膜と、前記孔を介して前記半導体基板に不純物を注入することにより形成された、前記低濃度不純物領域内で相対的に不純物濃度の高い高濃度不純物領域と、前記高濃度不純物領域に電気的に接続するように前記孔を埋込む導電層とを備えた、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 21/90 C

Fターム (40件)：

5F033HH09 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033NN02 ,  5F033NN07 ,  5F033NN11 ,  5F033NN29 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033VV16 ,  5F033XX09 ,  5F083BS17 ,  5F083BS20 ,  5F083BS27 ,  5F083GA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083LA01 ,  5F083LA21 ,  5F083MA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR29 ,  5F083PR39