特許
J-GLOBAL ID:200903032374776104
配線基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-358889
公開番号(公開出願番号):特開2002-164640
出願日: 2000年11月27日
公開日(公表日): 2002年06月07日
要約:
【要約】【課題】絶縁基板の両面の導体層を同時エッチングによって配線層を形成する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ポリイミド、エポキシ及びガラスエポキシ等からなる絶縁基板11の両面に厚みの異なる導体層21及び導体層22を形成し、厚い膜厚の導体層21上に薄い膜厚のレジスト層31を、薄い膜厚の導体層22上に厚い膜厚のレジスト層32を形成し、パターニング処理して開口部33を有するレジストパターン31a及び開口部34を有するレジストパターン32a形成する。次に、レジストパターン31a及びレジストパターン32aをマスクにして、厚みの異なる導体層21及び導体層22の同時エッチングを行い、レジストパターン31a及びレジストパターン32aを剥離処理して配線層21a及び配線層22aを有する配線基板を得る。
請求項(抜粋):
少なくとも両面に導体層を備える絶縁性基板に対し、両面の導体層上にレジストパターンを形成し、同時にエッチングすることにより、両面に配線層を形成する配線基板の製造方法において、両面の導体層上に異なった厚みのレジストパターンを形成し、エッチング速度を制御することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/06
, C23F 1/00 102
FI (3件):
H05K 3/06 E
, H05K 3/06 D
, C23F 1/00 102
Fターム (18件):
4K057WA10
, 4K057WB04
, 4K057WC10
, 4K057WD07
, 4K057WG10
, 4K057WN01
, 5E339AB02
, 5E339AD03
, 5E339BC01
, 5E339BD11
, 5E339BE13
, 5E339BE15
, 5E339CD01
, 5E339CE12
, 5E339CE15
, 5E339CG01
, 5E339EE10
, 5E339FF02
前のページに戻る