特許
J-GLOBAL ID：200903032377019193
ドライエッチング方法およびその装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149986
公開番号（公開出願番号）：特開平6-073568
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1994年03月15日
要約：
【要約】【目的】 プラズマを確実に均一化できると共にプラズマ密度を大きくできるようにする。【構成】 プラズマ発生室1の周囲に磁気コイル6が設けられており、マイクロ波発生器5により発生させられたマイクロ波と磁気コイル6により印加された磁界との相互作用によって起きる電子サイクロトロン共鳴によりプラズマ発生室1内の電子が加速され、加速された電子によってプラズマが発生する。プラズマ発生室1の下側には反応室7が設けられており、プラズマ発生室1に発生したプラズマは反応室7に導かれ、試料台8上の被エッチング材料のエッチングに供される。マイクロ波発生器5としては反射型クライストロンが用いられており、該反射型クライストロンの空洞の長さを変化させることにより、空洞共振器の共振周波数を変化させ、これにより、マイクロ波発生器5からプラズマ発生室1に供給されるマイクロ波の周波数は変調される。
請求項（抜粋）：
反応性ガスが導入されるプラズマ発生室に供給されるマイクロ波と上記プラズマ発生室に印加される磁場との相互作用によって生じる電子サイクロトロン共鳴により上記プラズマ発生室に生成される反応性ガスプラズマを用いてドライエッチングを行なうドライエッチング方法であって、上記マイクロ波の周波数を所定の帯域で変調させることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
C23F 4/00
, H01L 21/302
, H05H 1/46
