特許
J-GLOBAL ID：200903032377422923

磁気検出素子及びその製造方法、ならびに前記磁気検出素子を用いた薄膜磁気ヘッド

発明者：
長谷川 直也

長谷川 直也 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089408
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289946
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 従来では、狭いトラック幅の再生素子において十分な再生感度を有しつつ、ヒステリシスが無く再生波形の安定性に優れた磁気検出素子を製造することが困難であった。【解決手段】 フリー磁性層29の両側に軟磁性層33を介してハードバイアス層36を設ける。これによって、前記フリー磁性層29への前記バイアス層の保磁力の転写の問題やバックリング現象の問題は発生せず、また前記軟磁性層33の磁化は前記ハードバイアス層36からの縦バイアス磁界によってトラック幅方向に向けられているため、前記軟磁性層33との強磁性結合により、前記フリー磁性層29の磁化は、適切にトラック幅方向に揃えられる。よって本発明では、従来のようにヒステリシスが生じず、また再生波形の安定性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性中間層を介して形成されたフリー磁性層とを有する多層膜が設けられ、前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側には軟磁性層を介してバイアス層が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12
FI (6件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (13件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034CA00 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049BA12 ,  5E049GC01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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