特許
J-GLOBAL ID:200903032382062129
半導体装置およびその製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP1997001537
公開番号(公開出願番号):WO1998-050950
出願日: 1997年05月07日
公開日(公表日): 1998年11月12日
要約:
【要約】パッケージの外部接続端子であるバンプ電極を弾性体で構成し、パッケージとこれを実装するプリント配線基板との熱膨張係数差に起因して生じるストレスをバンプ電極の弾性変形によって吸収する。バンプ電極を構成する弾性体の好ましい弾性率は、0.00001Gpa〜5Gpa、より好ましくは0.001Gpa〜1Gpaである。
請求項(抜粋):
半導体チップを搭載したパッケージの電極に接続されたバンプ電極を介して前記パッケージを配線基板に実装する半導体装置であって、前記バンプ電極の少なくとも一部が弾性体で構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
前のページに戻る