特許
J-GLOBAL ID：200903032383253050
発光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011224
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205228
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 向上された製造歩留まりで信頼性の高い構造の発光半導体装置を得る。【解決手段】 発光素子の電極の一方とこの発光素子を搭載するリード電極の突出部との間を導電性材料を使用して電気的に接続する。
請求項（抜粋）：
サファイヤ基板と、前記サファイヤ基板上に形成されGaNから成る素子層と、前記素子層の表面に形成された上面電極と、前記素子層表面の一端縁に沿って形成された端部電極と、から成る発光素子と、前記発光素子を搭載する導電性のリード電極と、から成り、前記発光素子は前記リード電極上に接着剤を介して固定されると共に前記端部電極はその一端側にて導電性材料によりリード電極に電気的に接続されていることを特徴とする発光半導体装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
