特許

J-GLOBAL ID：200903032384836067

ペルチェ電極基板及びその製造方法

発明者： 井田 誠 ,  梶川 努
出願人/特許権者： 日本カーバイド工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-114702
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314153
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体モジュールに組み込まれる温度調整用のペルチェモジュールペルチェ電極基板において、半田付けなどの固定工程を減少し、固定物の破壊の抑制、寸歩安定性の向上を図るとともに、吸熱性・放熱性の向上を図る。【解決手段】熱伝導率の大きいCu-Wなどからなる金属体1の表面にSiなどの半導体材料に熱膨張率が近いエポキシ系樹脂などからなる絶縁層2を形成し、該絶縁層2の上に金属箔からなる電極層3を形成してペルチェ電極基板を製作する。

請求項（抜粋）：

半導体モジュールに組み込まれる温度調整用のペルチェモジュールのペルチェ電極基板において、金属体の表面に絶縁層が形成され、該絶縁層の上に電極層が形成されて成ることを特徴とするペルチェ電極基板及びその製造方法。

IPC (3件)：

H01L 35/08 ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

H01L 35/08 ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/34

Fターム (3件)：

5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BB08