特許
J-GLOBAL ID：200903032385364088
シリコン単結晶の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-154542
公開番号（公開出願番号）：特開平5-004888
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 OSF密度のごく低いシリコン単結晶製造装置を提供することを目的とする。【構成】 単結晶育成部Bと原料溶解部Aとに分割し、シリコン溶融液7が流通できるように小孔9を設けた仕切り部材8と、仕切り部材8と原料溶解部Aを覆う保温カバ-10とを有するCZ法のシリコン単結晶製造装置につおいて、保温カバ-10が、灰分が20ppm,以下、又は嵩密度が1.7g/cm3 以上の黒鉛材で作られ、円筒部体積が6800cm3 以下であることを特徴としたものである。【効果】 本発明の装置にて作られたシリコン単結晶からから得られたウエハ-のOSF密度が15個/cm2 以下の高品質・大径の単結晶が安定して得られる。
請求項（抜粋）：
シリコン溶融液を収容する石英るつぼと、石英るつぼを側面から加熱する電気抵抗加熱体と、石英るつぼ内でシリコン溶融液を単結晶育成部と原料溶解部とに分割しかつシリコン溶融液が流通できる小孔を有する石英製仕切り部材と、該仕切り部材と原料溶解部を覆う保温カバーと、前記各構成物を収容する炉内部を減圧するための減圧装置と、前記原料溶解部に原料シリコンを連続供給する原料供給装置とからなるシリコン単結晶製造装置において、前記保温カバーが灰分20ppm 以下の黒鉛材でつくられていることを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。
IPC (2件)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
