特許
J-GLOBAL ID：200903032388433536
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-093429
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288552
出願日： 1995年04月19日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 格子不整合を良好とし、InGaAlNの三元組成に格子定数を合わせられ、基板表面を保護して多結晶化を防止する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【構成】 基板1にLaNdGaO3 を用い、基板表面に300°C以上〜1000°C以下の成長温度のバッファ層2を形成したものである。
請求項（抜粋）：
In<SB>1-x-y </SB>Ga<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>N(0≦x≦1、0≦x+y≦1)薄膜を少なくとも一層含む半導体発光素子において、基板にLa<SB>z </SB>Nd<SB>1-z </SB>GaO<SB>3 </SB>(0<z≦1)単結晶を用いることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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