特許

J-GLOBAL ID：200903032394224264

スパツタ薄膜の製造方法

発明者： 野田 恭司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 武田 元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291611
公開番号（公開出願番号）：特開平5-128515
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 膜厚分布および保磁力Hc分布が少ない磁気ディスクを製造するためのスパッタ薄膜の製造方法。【構成】 インライン式連続スパッタ装置のスパッタ室内において、ターゲット1と磁気ディスク基板5との間に、Arガスをイオン化させるための電極端子(プラズマ発生機構)4を設置してスパッタ薄膜を製造する。

請求項（抜粋）：

ターゲットと基板との間にプラズマ発生機構を設けてスパッタ成膜を行うことを特徴とするスパッタ薄膜の製造方法。