特許

J-GLOBAL ID：200903032396850405

低誘電率絶縁体膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157069
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008237
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 ギャップフィル能力、グローバル平坦化能力に優れた、膜内部に微細な気泡を有する低誘電率絶縁体膜の形成方法、およびこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 シラン系化合物、酸化剤、およびフェノールや安息香酸等を原料ガスとし、液相CVD法で成膜後、熱処理を施して低誘電率絶縁体膜14を形成する。【効果】 液相CVDで平坦に形成された膜内には、フェノールや安息香酸が採り込まれ、これらは熱処理により気化してnmオーダの気泡が形成される。この結果、比誘電率が3.0以下の低誘電率絶縁体膜が形成される。

請求項（抜粋）：

膜内部に気泡を含有する酸化シリコン系絶縁膜を、化学的気相成長工程、および前記化学的気相成長工程に引き続く熱処理工程により被処理基板上に形成する工程を有する低誘電率絶縁体膜の形成方法において、前記化学的気相成長法に用いる原料化合物ガスは、少なくともシラン系化合物、酸化剤、およびOH基を有する芳香族化合物を含むことを特徴とする低誘電率絶縁体膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 V