特許
J-GLOBAL ID：200903032402481832
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337807
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164990
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、GaAsを半導体基板として用いた波長1.2mm以上の長波長帯で発振可能な、かつバンド不連続値も自由に制御可能な半導体レーザを提供することに目的とする。【解決手段】 本発明の半導体レーザでは、半導体基板20上に形成された活性層12が、量子井戸層21、障壁層121を含み、この量子井戸層が、半導体バンド構造において、伝導帯最下端と価電子帯最上端が異なる半導体層に形成されるいわゆるタイプII型の短周期超格子から構成されている。さらに、伝導帯を構成する電子ウェル層124及び価電子帯を構成する正孔ウェル層122が1〜10分子層厚の厚みに形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1の導電性を有する第1の光導波層と、第1の導電性とは異なる導電性を有する第2の光導波層と、前記2つの光導波層にはさまれた活性層領域を有する半導体レーザにおいて、前記活性層領域の少なくとも一部に量子井戸層と障壁層から構成される量子井戸構造を含み、かつ、この量子井戸層が、2つ以上の異なる半導体層を積層した構造を有し、この2つ以上の異なる半導体層が、そのバンド構造において、タイプII型超格子構造を構成し、さらに2つ以上の異なる半導体層の層厚が、それぞれ1〜10分子層厚であることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (11件)：
5F073AA03
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073CB22
, 5F073DA06
, 5F073DA22
, 5F073EA29
