特許

J-GLOBAL ID：200903032404830630

記憶コンデンサをもつダイナミックランダムアクセスメモリセルの形成方法

発明者： ダリウス エル.クレンショー ,  プロモド クマル
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-300789
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181276
出願日： 1996年10月07日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタンスの増加したダイナミックランダムアクメモリを形成する方法を提供する。【解決手段】 極微細粒子をマイクロエマルションの中に準備する(36)。粒子は、メモリセルの下部電極層上に堆積される(38)。マイクロ・ビラスパターンは、次に、粒子をマスクとして使用して下部電極層上に形成される(40)。HSGポリシリコンの層が、次にマイクロ・ビラスパターン上に堆積される(42)。誘電体及び上部電極が、次に、下部電極層の上に横たわって形成され(44)、ダイナミックアクセスメモリのための記憶コンデンサを形成する。

請求項（抜粋）：

複数の粒子をマイクロエマルションの中に沈殿させ、下部電極層を形成し、上記粒子を上記下部電極層上に堆積させ、堆積された粒子をマスクとして使用して、上記下部電極層上にマイクロ・ビラスパターンを形成し、上記マイクロ・ビラスパターン上に横たわる誘電体を形成し、記憶コンデンサの上部電極を形成すること、からなる記憶コンデンサをもつダイナミックランダムアクセスメモリセルの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z