特許

J-GLOBAL ID：200903032405797903

固体撮像装置

発明者： 飯田 義典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-296724
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124438
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 高感度で感度シェーディングの無い幅型固体撮像装置を提供すること。【解決手段】 遮光膜の開口部から半導体基板表面までの間に、遮光性材料からなる光学パイプ状の構造を形成している。また、撮像領域周辺部においても、光入射角が90°以外の場合においても、この光学パイプ構造により入射光は全てフォトダイオードに入射する。【効果】 本発明によれば、高感度で感度シェーディングの無い増幅型固体撮像装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数の単位画素を2次元配置してなり、各々の単位画素に、光電変換のためのフォトダイオードと、フォトダイオードで得られた信号電荷を蓄積する蓄積ダイオードと、フォトダイオードで得られた信号電荷を蓄積ダイオードに転送するための転送トランジスタと、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷により変調される増幅トランジスタと、増幅トランジスタからの信号電圧を読み出す信号読み出し部とが設けられた増幅型固体撮像装置であって、前記フォトダイオードを除く領域への入射光を遮るために、前記蓄積ダイオード、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、およびリセットトランジスタ等の上に遮光性材料からなる遮光膜が形成されており、該遮光膜は前記半導体基板表面と平行な面に形成された第1の遮光膜と、該第1の遮光膜に形成された開口部に接したパイプ状に形成された第2の遮光膜との組み合わせにより構成されていることを特徴とする増幅型固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 A

Fターム (31件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118CA40 ,  4M118DD12 ,  4M118EA06 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GA09 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GB19 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AA01 ,  5C024CA03 ,  5C024CA10 ,  5C024CA12 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA33 ,  5C024GA51 ,  5C024HA10