特許

J-GLOBAL ID：200903032408347720

絶縁膜の平坦化構造を形成するための方法

発明者： ロバート・ドーソン
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-092365
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312368
出願日： 1995年04月18日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 基板構造の上に絶縁膜の平坦化構造を形成するための方法を提供する。【構成】 絶縁膜は、その上に配線導体(38)を堆積する前にコンタクトのない領域の1つ以上の層を除去することなく、層内に堆積できる。その代わりに、少なくとも1つの層を、その上に配線導体を堆積する前に絶縁膜からすべて除去できる。プラズマ酸化膜(40)は、基板(32)の上表面と続いて堆積されるTEOS酸化膜(42)との間に形成され、応力特性を減じ、TEOS酸化膜(42)とプラズマ酸化膜(40)との間の応力の平衡をとる。続いて形成されるSOG層(46)を用いてさらに上表面を平坦化することができ、被覆層がSOGの上方に堆積され水の吸着を防止または実質的に最小とする。代替的に、被覆層の堆積に先行するエッチバック手順において、SOG層全体を除去することができる。SOG層の除去により、コンタクトが形成される間に水の吸着が発生するのを防ぐ。

請求項（抜粋）：

上に導体を堆積させる前にコンタクトのない領域の絶縁膜材料を除去せずに絶縁膜の平坦化構造を形成するための方法であって、前記方法は、複数の導体を含む集積回路構造を与えるステップを含み、前記導体は、異なる高さのレベルでおよび前記導体の間の大きな隙間距離と小さな隙間距離とを含む異なるピッチ距離で配置され、プラズマ増速CVD室内でプラズマ酸化膜を前記構造の上に堆積させるステップと、常圧CVD室内ならびにTEOSおよびオゾン雰囲気の中でTEOS酸化膜を前記プラズマ酸化膜の上に堆積させるステップとを含み、前記TEOS酸化膜の厚みは、前記小さな隙間距離において前記大きな隙間距離におけるよりも大きく、そのため前記大きな隙間距離においてと小さな隙間距離においてはTEOS酸化膜の厚みが異なり、シリケート溶液を前記TEOS酸化膜の上に回転堆積させて前記大きな隙間距離において前記小さな隙間距離におけるよりも大きいシリケートの厚みを形成するステップと、前記シリケート溶液をベイキングして溶媒を除去し、次に前記シリケート溶液を加熱して実質的に平坦化された上表面を有するシリカ膜を形成するステップとを含み、前記大きな隙間距離においてと小さな隙間距離においてはシリカ膜の厚みが異なり、前記シリカ膜の厚みの相違は実質的に、前記高さのレベルの相違と前記TEOS酸化膜の厚みの相違との総和に等しく、被覆絶縁膜を前記シリカ膜の上に堆積させるステップを含む、絶縁膜の平坦化構造を形成するための方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/94 Z