特許

J-GLOBAL ID：200903032411557760

半導体集積回路装置

発明者： 武田 久雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007975
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221100
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】酸化膜上のAl配線膜の上に積層金属膜を介してバンプ端子電極を形成するとき、Al配線膜表面の突起物に基づく異常が発生する問題を解決する。【構成】Al配線膜を、シリコン基板のP形拡散層に直接接触させ、その直上に金属膜を介してバンプ端子電極を形成する。P形拡散層に直接接触するAl膜には、熱処理工程を経ても突起物が発生しないので、異常発生が防止できる。P形拡散層は基板の他の領域とPN接合により電気的に絶縁する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のアルミニウムを主成分とする配線膜上に積層金属膜を介してバンプ端子電極が形成されたものにおいて、バンプ端子電極の直下で配線膜が、半導体基板の表面層に形成され半導体基板の他の領域と電気的に絶縁されたP形層の表面に接触していることを特徴とする半導体集積回路装置。